ಪರಿಸರ ಶಾಖ ಮೂಲಕ ಉಪಯುಕ್ತ ಕೆಲಸ

ಭಾಗ 1. ಕೆಲವು ನಿಯಮಗಳು ಮತ್ತು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಗಳು.

ವಿದ್ಯುತ್ಪ್ರೇರಕ ಶಕ್ತಿ (ಇಎಮ್ಎಫ್) ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೂಲ ... ಬಾಹ್ಯ ಶಕ್ತಿ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದ್ಯ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ನಡುವೆ ಪರಿಮಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಜೀವಕೋಶಗಳು ವಿದ್ಯುಲ್ಲೇಪನಾ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವುದು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ ಅವಿಭಾಜ್ಯ ಬಾಹ್ಯ ಶಕ್ತಿ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಭಾಗವಾಗಿದ್ದು. ಅವರು ಎರಡು ಬೇರೆ ಬೇರೆ ರೀತಿಯ ಲೋಹಗಳ ನಡುವೆ ಗಡಿಯಲ್ಲಿ ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು therebetween [5 ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ವ್ಯತ್ಯಾಸ, ಪು ನಿರ್ಧರಿಸಲು. 193, 191]. ಪ್ರಮಾಣ ಜಿಗಿತಗಳು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿಭಾಗದ ಎಲ್ಲಾ ಮೇಲ್ಮೈ ವಿಭವವು ಸರಣಿ ತುದಿಗಳಲ್ಲಿ ಇದೆ ವಾಹಕಗಳ ಮಧ್ಯೆ ಪೊಟೆನ್ಶಿಯಲ್ ಡಿಫರೆನ್ಸ್, ಸಮಾನ, ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ಪ್ರೇರಕ ಶಕ್ತಿ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ... ಮೊದಲ ರೀತಿಯ ಹಲವಾರು ವಾಹಕಗಳಿಂದ ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಸರಣಿ ಮೊದಲ ಮತ್ತು ನೇರ ಅವುಗಳನ್ನು (ವೋಲ್ಟಾ ಕಾನೂನು) ಸಂಪರ್ಕಿಸಿ ... ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸರಿಯಾಗಿ ತೆರೆದುಕೊಂಡಿದ್ದರೆ, ಇಎಮ್ಎಫ್ ಕೊನೆಯ ಕಂಡಕ್ಟರ್ ನಡುವಿನ ಸಂಭವನೀಯ ಜಂಪ್ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಕನಿಷ್ಠ ಒಂದು ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದ್ಯ, ಅನ್ವಯಿತ ಕಾನೂನು ವೋಲ್ಟ್ ... ನಿಸ್ಸಂಶಯವಾಗಿ, ಎರಡನೇ ರೀತಿಯ ಕನಿಷ್ಠ ಒಂದು ವಾಹಕದ ಒಳಗೊಂಡಿದೆ ಮಾತ್ರ ಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ರಾಸಾಯನಿಕ ಸೆಲ್ (ಅಥವಾ ಸರಪಳಿಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಅಂಶಗಳು) ಇವೆ [1, ಪು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ ತೆರೆದ-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕಂಡಕ್ಟರ್, ಸರಿಪಡಿಸಲು. 490 - 491].

Polyelectrolytes ಇದರಿಂದಾಗಿ ಬೃಹತ್ ಕಣ ರಲ್ಲಿ, ಮರುಕಳಿಸುವ ಆರೋಪಗಳನ್ನು ... ಅಡ್ಡಬಂಧನವಾಗಿಲ್ಲದ polyelectrolytes (ಅಯಾನು ವಿನಿಮಯಕಾರಿಗಳು ಒಂದು ದೊಡ್ಡ ಸಂಖ್ಯೆಯ, ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಅಯಾನುಗಳು ಒಳಗೆ dissociating ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಪಾಲಿಮರ್ಗಳಾಗಿವೆ ಅಯಾನು ವಿನಿಮಯ ರಾಳ) ವಿಭಜಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ, ಮಾತ್ರ, dissociate ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು [6, ಪು ಉಳಿಸಿಕೊಂಡು ಹಿಗ್ಗಿಸು. 320 - 321]. Polyelectrolytes ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ macroion ಒಳಗೆ dissociate ಮತ್ತು H + ಅಯಾನುಗಳು polyacids ಕರೆದು ಧನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಸಿದ ಅಯಾನ್ಗಳು ಮತ್ತು ಒಹೆಚ್- macroion poliosnovaniyami ಎಂಬ ಒಳಗೆ ವಿಯೋಜಿಸಿ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ.

Donnan ಸಮತೋಲನ ವಿಭವ ಎರಡು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ನಡುವೆ ಹಂತದ ಗಡಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಭವಿಸುವ ಈ ಮಿತಿಯನ್ನು ಎಲ್ಲಾ ಅಯಾನುಗಳಿಗೆ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯ ವೇಳೆ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ವ್ಯತ್ಯಾಸ. ಕೆಲವು ಅಯಾನುಗಳಿಗೆ ಅವ್ಯಾಪ್ಯತೆ ಸೀಮೆಯ ಉಂಟಾಗಬಹುದು ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಪೊರೆಗಳ ಉಪಸ್ಥಿತಿ ಒಂದು ನಿಗದಿತ ಗಾತ್ರದ ನಂತರ ಕಣಗಳಿಗೆ ದುಸ್ತರ, ಅತ್ಯಂತ ಕಿರಿದಾದ ರಂಧ್ರಗಳು ಜೊತೆ. ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಆಯ್ಕೆಸಾಧ್ಯ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಯಾವುದೇ ಅಯಾನುಗಳು ದೃಢವಾಗಿ ಸಾಧ್ಯವಾಗದ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇದು ಬಿಟ್ಟು ಹಂತಗಳ ಒಂದು ಲಿಂಕ್ ವೇಳೆ. ನಿಖರವಾಗಿ ಅಯಾನಿಕ್ ಅಯಾನು ವಿನಿಮಯ ರಾಳ ವರ್ತಿಸುತ್ತಾರೆ, ಅಥವಾ ಅಯಾನು ವಿನಿಮಯ ಗುಂಪು ಆಣ್ವಿಕ ಜಾಲರಿ ಅಥವಾ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ನ ಸಮಧ್ರುವೀಯ ಬಂಧ ಪರಿಹರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪರಿಹಾರ, ಇದು ಒಂದೇ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಒಟ್ಟಾಗಿ ಇಂತಹ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಸೈಸ್ ರೂಪಗಳು ಒಳಗೆ ಎಂಬ; ಪರಿಹಾರ, ಹೊರಗಡೆ, - ಎರಡನೇ [7. 77].

ವಿದ್ಯುತ್ ಎರಡು ಪದರ (EDL) ನಿಂದ ಪರಸ್ಪರ [7 ಸ್ವಲ್ಪ ದೂರ ವಿಲೇವಾರಿ ವಿರುದ್ಧ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪದರಗಳನ್ನು ಸೆಟ್ ಎರಡು ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ನಲ್ಲಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತಿದೆ. 96].

ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಪರ್ಕ [2, ಪುಟ ಹರಿಯುವ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಅವಲಂಬಿಸಿ ಎರಡು ವಿವಿಧ ವಾಹಕಗಳ ಸಂಪರ್ಕ ಉಷ್ಣತೆಯ ಈ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆ ಅಥವಾ ಹೀರುವಿಕೆ ಉಂಟುಮಾಡಲು. 552].

ಭಾಗ 2: ನೀರಿನ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆಯ ಶಾಖ ಸಾಧಾರಣ ಬಳಸಿ.

ಅಂಜೂರ ರಲ್ಲಿ ಸಂಕೇತಗಳಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಸೆಲ್ (ಮುಂದೆ ಅಂಶ) ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಸಂಭವಿಸುವಿಕೆಯ ಕಾರ್ಯರೀತಿಯನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸಿ. 1, ಹೆಚ್ಚು ಇಎಮ್ಎಫ್ ಕಾರಣ ಆಂತರಿಕ ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ವ್ಯತ್ಯಾಸ (ಪಿಕೆಕೆಯನ್ನು) ಮತ್ತು ಪರಿಣಾಮ Donnan ನಡುವೆ (Donnan ಪರಿಣಾಮದ ಮೂಲಭೂತವಾಗಿ ನ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ವಿವರ, ಆಂತರಿಕ ಪಿಕೆಕೆಯನ್ನು ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಲೇಖನದ ಮೂರನೇ ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಒದಗಿಸಲಾಗಿದೆ).

ಅಂಜೂರ. ಒಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಜೀವಕೋಶದ 1. ಸೂತ್ರೀಯ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯ: 1 - ಕ್ಯಾಥೋಡ್ 3 ಒಂದು ಪರಿಹಾರ ಸಂಪರ್ಕಿಸಬಹುದು, ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದ್ಯ ಧನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಅಪಕರ್ಷಣ ಕ್ರಿಯೆ ಅದರ ಮೇಲ್ಮೈ, ಒಂದು ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಾಗಿದೆ ಅತೀವವಾಗಿ ಮಿಶ್ರಿತ ಎನ್ ಅರೆವಾಹಕ ಮಾಡಿದ ಸಂಭವಿಸಿದೆ. ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ, metallized ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಭಾಗ; 2 - ಆನೋಡ್ 4 ಒಂದು ಪರಿಹಾರ ಅದರ ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಾಗಿದೆ ಅತೀವವಾಗಿ ಮಿಶ್ರಿತವಾಗಿರುವ ಪಿ ಅರೆವಾಹಕ ಮಾಡಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಆನಯಾನುಗಳು ಆಫ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಕ್ರಿಯೆಯು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಮೇಲ್ಮೈ ಮೇಲೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಬಹುದು. ಆನೋಡ್ ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ, metallized ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಭಾಗ; 3 - ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸ್ಥಳವನ್ನು polyelectrolyte ಪರಿಹಾರ, macroion ನೀರಿನಲ್ಲಿ dissociating ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ R- ಮತ್ತು ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ counterions ಸಣ್ಣ ಪೊಟ್ಯಾಸಿಯಮ್ + (ಇಂದಿನ ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಜಲಜನಕ ಐಯಾನ್ ಎಚ್ ಆಗಿದೆ); 4 - dissociating ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಆನೋಡ್ ವಿಭಾಗದ polyelectrolyte ಪರಿಹಾರ ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ macroion ಆರ್ + ಮತ್ತು ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ counterions ಸಣ್ಣ ಎ- ಒಳಗೆ (ಈ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ ಇದು ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸೈಡ್ ಅಯಾನುಗಳು ಒಹೆಚ್-); 5 - ಪೊರೆಯ (ಧ್ವನಿಫಲಕ), ಮ್ಯಾಕ್ರೋಕಣಗಳು (macroion) polyelectrolytes ಗೆ ಅಡಿಪಾಯ ಭದ್ರವಾಗಿರುವ, ಆದರೆ ಸಣ್ಣ counterions K + A- ಮತ್ತು ನೀರಿನ ಕಣಗಳು ಹಂಚಿರುವ 3 ಮತ್ತು 4 ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯವಿರುವುದರಿಂದ; Evnesh - ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ.

ಇಎಮ್ಎಫ್ Donnan ಪರಿಣಾಮದಿಂದ

ಜಲೀಯ poliosnovaniya (ಆರ್ + OH- ಕ್ಕೂ) - ಸ್ಪಷ್ಟತೆಗಾಗಿ, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸ್ಪೇಸ್ (. 3, ಚಿತ್ರ 1) ಆಫ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಜಲೀಯ polyacid ಪರಿಹಾರ (ಆರ್ ಎಚ್ +) ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ವಿಭಾಗದ (4, ಅಂಜೂರದ 1.) ಆಯ್ಕೆಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ವಿಭಾಗಗಳಲ್ಲಿನ ವಿಘಟನೆಯ polyacids ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ (1, ಚಿ. 1) ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಬಳಿಯಲ್ಲಿ ಅವನಿಗಾಗಿ ಎಚ್ + ಅಯಾನುಗಳು ಹೆಚ್ಚಳಗೊಂಡ ಕೇಂದ್ರೀಕರಣವಾಗಿದೆ. ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈ ಸಮೀಪದ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಧನಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ವರೆಗೂ, ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ macroions R- ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಇಲ್ಲ ಅವರು (ವಿವರಗಳಿಗಾಗಿ ನೋಡಿ. ವಿವರಣೆ ಲೇಖನದ ಮೂರನೇ ಭಾಗದ ಅನೆಕ್ಸ್ №1 ರಲ್ಲಿ Donnan ಪರಿಣಾಮ) ಅದರ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಒಂದು ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ ಅಯಾನಿಕ್ ವಾತಾವರಣ ಇರುವಿಕೆಯ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈ ಹತ್ತಿರ ಬರಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ಹೀಗಾಗಿ, ನೇರವಾಗಿ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈನ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕೆ ಪರಿಹಾರದ ಗಡಿ ಪದರಗಳ ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿನ ಒಂದು ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಪ್ರವೇಶ, ಪರಿಹಾರ ಸಮೀಪದ, ಅಲ್ಲಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವಾಗಿದೆ. ಅಂದರೆ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈ ಇದು DES ಪರಿಹಾರ ಸಂಪರ್ಕದಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. DES ನ ಫೀಲ್ಡ್ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ತಳ್ಳುತ್ತದೆ - ಪರಿಹಾರ.

ಅಂತೆಯೇ, ಆನೋಡ್ (2, ಚಿ. 1), ಆನೋಡ್ ವಿಭಾಗಗಳಲ್ಲಿನ ಪರಿಹಾರದ ಗಡಿ ಪದರಗಳ (4, ಚಿ. 1) ನೇರವಾಗಿ ಆನೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈನ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕೆ ಮೇಲೆ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ, ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ, ಪರಿಹಾರ ಸಮೀಪದ, ಒಂದು ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವನ್ನು. ಅಂದರೆ ಆನೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈ ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರ ನಡುವಿನ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ನಲ್ಲಿ ಉದಾಹರಣೆಗಳು DES ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಆನೋಡ್ - DES ನ ಫೀಲ್ಡ್ ಪರಿಹಾರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ತಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ಹೀಗಾಗಿ, ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ DES ನ ಪರಿಹಾರ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಆಫ್ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ಗಳಲ್ಲಿ, ಬೆಂಬಲಿತ ಉಷ್ಣ ಪರಿಹಾರ ಅಯಾನು ವಿಸರಣ, ಎರಡು ಆಂತರಿಕ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಮೂಲ,, ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲವೊಂದರ ಗೋಷ್ಠಿಯಲ್ಲಿ ನಟನೆಯನ್ನು ಅಂದರೆ ಇವೆ, ಅಪ್ರದಕ್ಷಿಣಾಕಾರವಾಗಿ ಲೂಪ್ ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶಗಳ ತಳ್ಳುವುದು.

. ವಿಭಜನೆ poliosnovaniya polyacids ಮತ್ತು ಪೊರೆಯಾದ್ಯಂತದ (5, ಚಿತ್ರ 1) ಎಚ್ + ಅಯಾನುಗಳು ಕ್ಯಾತೋಡಿಕ್ ಸ್ಥಳದಿಂದ ಮೂಲಕ ಉಷ್ಣದ ಪ್ರಸರಣ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ - ಆನೋಡ್, ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ವಿಭಾಗದ ಒಹೆಚ್- ಅಯಾನುಗಳು - ಒಂದು ಕ್ಯಾಥೋಡ್. , ಒಂದು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸಕಾರಾತ್ಮಕ ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶಗಳ - ಅಂದರೆ Macroion ಆರ್ + ಮತ್ತು R- polyelectrolytes, ಪೊರೆಯಿಂದ ಸರಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸ್ಥಳದಿಂದ ಆದ್ದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಾಗುವುದರಿಂದ ಋಣಾತ್ಮಕ ಶುಲ್ಕವಿರುವುದಿಲ್ಲ, ಮತ್ತು anodic ಸ್ಥಳದಿಂದ Donnan ಪ್ರಭಾವ ದಿಂದಾಗುವ ಮತ್ತೊಂದು ಡಿಪಿಪಿ ಇಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ ಪೊರೆಯ ಸಹ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಒಳಗೆ, ಶಾಖ ಪ್ರಸರಣದ ಒಂದು ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲದಿಂದ ಗೋಷ್ಠಿಯಲ್ಲಿ ನಟನೆಯನ್ನು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಯಾನುಗಳ ಪರಿಹಾರ ನಿರ್ವಹಣೆ.

ನಮ್ಮ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ ಪೊರೆಯಾದ್ಯಂತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂದು, 0.83 ವೋಲ್ಟ್ ತಲುಪಬಹುದು ಆನೋಡ್ ವಿಭಾಗದ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ವಿಭಾಗದ ಆಮ್ಲೀಯ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಅಲ್ಕಾಲೈನ್ ಮಾಧ್ಯಮದಿಂದ ಪರಿವರ್ತನೆ ನಲ್ಲಿ 0.83 0 ವೋಲ್ಟ್ - ಈ ಮಾನದಂಡದ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಬದಲಾವಣೆ ಅನುರೂಪವಾಗಿದೆ. ವಿವರಗಳಿಗಾಗಿ, ನೋಡಿ. ಲೇಖನದ ಮೂರನೇ ಭಾಗದ ಅನೆಕ್ಸ್ №1 ರಲ್ಲಿ.

ಇಎಮ್ಎಫ್ ಒಳಗಿನಿಂದ ಪಿಕೆಕೆಯನ್ನು

ಎಲಿಮೆಂಟ್ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಇದು ಹೊರಗಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ ಸಂಪರ್ಕ ಸೇವೆ ತಮ್ಮ ಲೋಹದ ಭಾಗಗಳಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆನೋಡ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸೇರಿದಂತೆ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಆಂತರಿಕ ಪಿಕೆಕೆಯನ್ನು ಕಾರಣ. ಆಂತರಿಕ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ ಜಾಗದಲ್ಲಿ ಸಂಪರ್ಕ ವಾಹಕಗಳ ಸುತ್ತಮುತ್ತಲಿನ ರಚಿಸಲು ಬಾಹ್ಯ ಕ್ಷೇತ್ರಕ್ಕೆ, ಅಂದರೆ ಇದು ವಾಹಕಗಳ ಹೊರಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಕಣಗಳ ಚಲನೆಯ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುವುದಿಲ್ಲ. ನಿರ್ಮಾಣ ಎನ್ ಅರೆವಾಹಕ / ಲೋಹದ / ಪು ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಕಷ್ಟು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಒಂದು ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಘಟಕ. ಇಎಮ್ಎಫ್ ಪರಿಮಾಣದ 0.6 ವೋಲ್ಟ್ [5, ಪು - ಕೊಠಡಿ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಒಂದು ರಚನೆ 0.4 ಸಲುವಾಗಿ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು. 459; 2, ಪುಟ. 552]. ಸಂಪರ್ಕಗಳಲ್ಲಿ ಫೀಲ್ಡ್ಸ್ ಅವರು ಲೂಪ್ ಅಪ್ರದಕ್ಷಿಣಾಕಾರವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ತಳ್ಳಿದೆ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ, ಅಂದರೆ ರಲ್ಲಿ ನಿರ್ದೇಶಿಸುತ್ತಿತ್ತು ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲ ಗೋಷ್ಠಿಯಲ್ಲಿ ಕ್ರಿಯೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಸಾಧಾರಣ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಶಕ್ತಿ ಮಟ್ಟವನ್ನು.

ಆಂತರಿಕ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಮತ್ತು ದ್ರಾವಣದ ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಪ್ರಸರಣ ಕಾರಣ ಹುಟ್ಟುವ ವೇಳೆ ಇದಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಚಕ್ರಕ್ಕೆ ಪ್ರದಕ್ಷಿಣಾಕಾರವಾಗಿ ತಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಅಂದರೆ ಅಪ್ರದಕ್ಷಿಣಾಕಾರವಾಗಿ ಈ ಸಂಪರ್ಕಗಳಲ್ಲಿ ಎಲಿಮೆಂಟ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಚಲನೆಯ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಹಂಚಿಕೆ ಮಾಡಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಆದರೆ ದ್ರಾವಣದೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ವರ್ಗಾವಣೆ ಅಗತ್ಯವಾಗಿ ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ಅಂತರುಷ್ಣಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಜೊತೆಗೂಡಿರುತ್ತದೆ, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಮಾಧ್ಯಮಕ್ಕೆ ಬಿಡುಗಡೆ ಇಲ್ಲ, ಹಾಗೂ ಶಾಖಗ್ರಾಹಿ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತವೆ, ಅಂದರೆ ಹಾಗೆ ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕವನ್ನು ರಚನೆಗೆ ಎನ್ಥೆಲ್ಪಿ ರಲ್ಲಿ "ಸಂರಕ್ಷಿಸಬಹುದು". ವಿವರಗಳಿಗಾಗಿ, ನೋಡಿ. №2 ಅನೆಕ್ಸ್ ರಲ್ಲಿ ಲೇಖನದ ಮೂರನೇ ಭಾಗ.

ವಾಹಕಗಳು (ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಮತ್ತು ಅಯಾನುಗಳು) ಮುಚ್ಚಿದ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು, ಅಂಶದಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಶುಲ್ಕ ಮುಚ್ಚಿದ ಮಂಡಲದಲ್ಲಿನ ಚಲಿಸುವ ಇದೆ ಅಲ್ಲ ಎಲಿಮೆಂಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಚಲಿಸುತ್ತವೆ. ಪ್ರತಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆನೋಡ್ ಪರಿಹಾರ (ಆಮ್ಲಜನಕದ ಅಣುಗಳಿಗೆ ಒಹೆಚ್- ಅಯಾನುಗಳ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಹಾದಿಯಲ್ಲಿ) ಪಡೆದುಕೊಂಡು, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಬಾಹ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪ್ರಯಾಣಿಸಿದರೂ, (ಅಯಾನುಗಳ H + ಚೇತರಿಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ) ಜಲಜನಕ ಅಣುಗಳು ಒಟ್ಟಾಗಿ volatilized ಇದೆ. ಅಂತೆಯೇ ಅಯಾನುಗಳು ಒಹೆಚ್- ಮತ್ತು H + ಮುಚ್ಚಿದ ಮಂಡಲದಲ್ಲಿನ ಸರಿಸಲು, ಆದರೆ ಮಾತ್ರ ಅನುಗುಣವಾದ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಕ್ಕೆ, ತದನಂತರ ಆಣ್ವಿಕ ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಆವಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ಅಂದರೆ ಮತ್ತು ಅಯಾನುಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಪ್ರತಿ DES ನ ವೇಗ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ತನ್ನ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಚಲಿಸುವ, ಮತ್ತು ಮಾರ್ಗ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ, ಅವರು ತಲುಪಿದಾಗ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್ಅನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈ ಸಂಪೂರ್ಣ ಶೇಖರಗೊಂಡ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಪರಿವರ್ತಿಸುವ, ಅಣುವಿನ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗಿದೆ - ಒಂದು ರಾಸಾಯನಿಕ ಬಂಧದ ಶಕ್ತಿ, ಮತ್ತು ಲೂಪ್ ಹೊರಗೆ!

ಇಎಮ್ಎಫ್ ಆಂತರಿಕ ಮೂಲಗಳ ಎಲ್ಲಾ ಎಲಿಮೆಂಟ್, ಕಡಿಮೆ ನೀರಿನ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆಯ ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲ ಖರ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಸುತ್ತಲಿನ DES ನ ಪ್ರಸರಣ ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಇದರ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಶಾಖ, ಅಂದರೆ ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು, ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆಯೂ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.

ಯಾವುದೇ ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲ ಇಲ್ಲದೆ ನೀರಿನ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆ.

ವಿಮರ್ಶಿಸುವಾಗ ಅಂಜೂರ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ ಅಂಶ ನಡೆಯುತ್ತಿರುವ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು. 1, ಬಾಹ್ಯ ಮೂಲವೊಂದರ ಪರಿಮಾಣಗಳನ್ನು ಇಲ್ಲ. ಆಂತರಿಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಮತ್ತು RD ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ 0 ಒಂದು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆ ಎಂದು ಭಾವಿಸೋಣ Evnesh (ಅಂಜೂರ. 5 ನೋಡಿ) ಎಲಿಮೆಂಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಒಂದು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಲೋಡ್ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ನಿರ್ದೇಶನ ಮತ್ತು ಪರಿಮಾಣದ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ನಲ್ಲಿ ಹುಟ್ಟುವ DES ಜಾಗ ಅವೇ.

ಅಂಜೂರ. 5. ಬದಲಿಗೆ Evnesh (ಅಂಜೂರ. 1) ಅಪ್ರವರ್ತಕ ಲೋಡ್ ಆರ್ಎಲ್ ಸೇರಿದಂತೆ.

ಈ ಅಂಶ, ಸಹಜ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹರಿವಿನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಗಿಬ್ಸ್ ಸಂಭಾವ್ಯ ಬದಲಾಯಿಸುವುದು ಸೂತ್ರ (1) ಲೇಖನ ಮೂರನೇ ಭಾಗವನ್ನು ಅನೆಕ್ಸ್ №1 ಪ್ರಕಾರ:

Δ ಜಿ ಆಗ = (Δ ಎಚ್ ಆಗ - ಎನ್) + ಪ್ರಶ್ನೆ ಅಳತೆಯ

ವೇಳೆ ಪಿ> Δ ಎಚ್ + ಪ್ರಶ್ನೆ ಅಳತೆಯ ಮಾಡ್ = 284,5 - 47.2 = 237.3 (KJ / mol) = 1.23 (eV / ಮಾಲಿಕ್ಯೂಲ್)

Δ ಜಿ ಆಗ <0 ಮತ್ತು ಸ್ವಯಂಪ್ರೇರಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಸಾಧ್ಯ.

ನಾವು (0 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ), ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕದ ಕ್ಷಾರೀಯ (0.4 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ) ರಲ್ಲಿ ಆಮ್ಲೀಯ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಪೀಳಿಗೆಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಸಂಭವಿಸುವ ಮತ್ತಷ್ಟು ಪರಿಗಣಿಸುತ್ತಾರೆ. ಇಂತಹ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳ ಒಂದು ಪೊರೆಯ (5, ಚಿ. 5), ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಈ 0.83 ವೋಲ್ಟ್ ಇರಬೇಕು ಇದು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಅಂದರೆ ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕದ ರಚನೆಗೆ ಬೇಕಾದ ಶಕ್ತಿಯ 0.83 (eV / ಮಾಲಿಕ್ಯೂಲ್) ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ನಂತರ ಸ್ವಾಭಾವಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ಪರಿಸ್ಥಿತಿ ತಿನ್ನುವೆ:

ಪಿ> 1.23 - 0.83 = 0.4 (eV / ಮಾಲಿಕ್ಯೂಲ್) = 77.2 (KJ / mol) (2)

ಹುಡುಕಲಾಗಲೀ ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕದ ಅಣುಗಳ ಶಕ್ತಿ ತಡೆಗೋಡೆ ನಿರಾಕರಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ ಮತ್ತು ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲವನ್ನು ಬಳಸದೆಯೇ ಎಂದು. ಅಂದರೆ ಯು n = 0.4 (eV / ಅಣು), ಅಂದರೆ, ನಲ್ಲಿ ಒಳ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ HPDC 0.4 ವೋಲ್ಟ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಅಂಶ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸಮತೋಲನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಇರುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಯಾವುದೇ (ಸಣ್ಣ) ಸಮತೋಲನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳ ಬದಲಾವಣೆ ಮಂಡಲದಲ್ಲಿನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗಾಗಿ ಮತ್ತೊಂದು ಅಡಚಣೆಯಾಗಿದೆ ಸಕ್ರಿಯ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು, ಆದರೆ ತಡೆಗಟ್ಟಬಹುದು , ಸುರಂಗ ಮಾರ್ಗದ ಪ್ರಭಾವವಿದೆ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರ ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರ [7, ಪುಟ ನಡುವೆ ಅಂತರವನ್ನು ಅತ್ಯಲ್ಪ ಕಾರಣ ಹುಟ್ಟುವ. 147-149].

ಹೀಗಾಗಿ, ಶಕ್ತಿ ವಿವೇಚನೆಯ, ನಾವು ಸ್ವಾಭಾವಿಕ ಪ್ರಸ್ತುತ ಅಂಜೂರ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ ಅಂಶ ಮುಕ್ತಾಯಗೊಳ್ಳಲಿದ್ದು. 5, ಇದು ಸಾಧ್ಯ. ಆದರೆ ಯಾವ ಭೌತಿಕ ಕಾರಣಗಳಿಗಾಗಿ ಈ ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು? ಈ ಕಾರಣಗಳು ಕೆಳಗೆ ಪಟ್ಟಿಮಾಡಲಾಗಿದೆ:

1. ಆನೋಡ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ಸಂಭವನೀಯತೆ ದ್ರಾವಣದೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದ್ರಾವಣದೊಂದಿಗೆ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ವಿದ್ಯುತ್ಕಣಗಳನ್ನು ಪರಿವರ್ತನೆ ಸಂಭವನೀಯತೆ, ರಿಂದ ಎನ್ ಅರೆವಾಹಕ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಉಚಿತ ಉನ್ನತ ಶಕ್ತಿ ಮಟ್ಟದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಮತ್ತು p ಅರೆವಾಹಕ ಆನೋಡ್ ಬಹಳಷ್ಟು ಹೊಂದಿದೆ - ಮಾತ್ರ "ರಂಧ್ರಗಳು", ಮತ್ತು ಈ "ರಂಧ್ರಗಳು" ಕ್ಯಾತೋಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಕೆಳಗೆ ಶಕ್ತಿ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ ಇರುತ್ತವೆ;

2. ಪೊರೆಯ ಆಮ್ಲೀಯ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಕ್ಯಾಥೊಡ್ ಜಾಗದಲ್ಲಿ ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತವೆ ಆನೋಡ್ ರಲ್ಲಿ - ಕ್ಷಾರೀಯ. ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಈ ಒಂದು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಆನೋಡ್ ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುತ್ತದೆ ಆಗುತ್ತದೆ ಇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ಗೆ ಆನೋಡ್ ನಿಂದ ಬಾಹ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಮೂಲಕ ಸಾಗಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ;

3. Donnan ಪ್ರಭಾವ ದಿಂದಾಗುವ ಹುಟ್ಟುವ polyelectrolyte ಪರಿಹಾರಗಳನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈ ವಿದ್ಯುದಾವೇಶ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ / ಪರಿಹಾರ ಫೀಲ್ಡಿಂಗ್ನಲ್ಲಿ ಕ್ಯಾತೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ದ್ರಾವಣದೊಂದಿಗೆ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಇಳುವರಿ ಉತ್ತೇಜಿಸುವ ನಲ್ಲಿ ಅನೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು - ಪರಿಹಾರ ಆನೋಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರವೇಶ;

4. ಮುಂದೆ ಸಮತೋಲನ ಮತ್ತು ರಿವರ್ಸ್ ವಿದ್ಯುದ್ಧೃವಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು (ವಿನಿಮಯ ಪ್ರವಾಹಗಳು) ಎಚ್ ಕಡೆಗೆ ಪಕ್ಷಪಾತ + ಅಯಾನುಗಳು ಅನೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮತ್ತು ಒಹೆಚ್- ಅಯಾನುಗಳ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ನೇರ ಕಡಿತ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ರಿಂದ ಅವರು ಅನಿಲ (H2, ಮತ್ತು 2) ಸುಲಭವಾಗಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವಲಯದ ಬಿಟ್ಟು ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು (ಲೆ ಶ್ಯಾಟೆಲೀರ್ನ ಪ್ರಿನ್ಸಿಪಲ್) ರಚನೆ ಜೊತೆಗೂಡಿರುತ್ತವೆ.

ಪ್ರಯೋಗಗಳು.

ಸಕ್ರಿಯ ಇಂಗಾಲವನ್ನು ಮತ್ತು ಅಯಾನು ಅಂಟು ಹೊರಗಿನ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಜೊತೆ ಎಬಿ-17-8 ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು - ಹೊರೆಗೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ Donnan ಪರಿಣಾಮದಿಂದ ಪರಿಮಾಣಾತ್ಮಕ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನಕ್ಕೆ ಮೀಸಲಾಗಿರುವ ಪ್ರಯೋಗ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಎಲಿಮೆಂಟ್ ಹೊರಗಿನ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಸಕ್ರಿಯ ಇಂಗಾಲದ ಒಳಗೊಂಡ ನಿರ್ವಹಿಸಲ್ಪಡುತ್ತಿತ್ತು. ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದ್ಯ - ನೀರಿನ NaOH ಪರಿಹಾರ, ಆನೋಡ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ಕೃತಕ ಭಾವಿಸಿದರು ಬೇರ್ಪಡಿಸಲಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಅಂಶ ಮುಕ್ತ ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಮೆಲೆ 50 mV ನಷ್ಟು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೊಂದಿತ್ತು. ಬಾಹ್ಯ ಹೊರೆಯ 10 ಅಂಶವನ್ನು ಸಂಪರ್ಕ ಓಮ್ 500 microamps ಪ್ರಸ್ತುತ ಸ್ಥಿರ. ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಕ್ಕೆ 20 30 ಗೆ 0c ನಲ್ಲಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಾಪಮಾನ ಹೆಚ್ಚಳ mV, 54 ಹೆಚ್ಚಿದಾಗ. ಸುತ್ತುವರಿದ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸುತ್ತದೆ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಮೂಲ ಆಗಿದೆ ವಿಸರಣ, ಅಂದರೆ ಕಣಗಳ ಉಷ್ಣಧಾರಕ ಚಲನೆಯಲ್ಲಿ.

ಹೊರಗಿನ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಜೊತೆ ಬೊರಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (B4C ಪಿ-ಅರೆವಾಹಕ) ಒಂದು ಪುಡಿ - ಒಳ HPDC ಲೋಹದ / ಅರೆವಾಹಕ ಪ್ರಯೋಗದಿಂದ ಹೊರೆಗೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪರಿಮಾಣಾತ್ಮಕ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಜೀವಕೋಶವನ್ನು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಹೊರಗಿನ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಜೊತೆ ಸಂಶ್ಲೇಷಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಪುಡಿ ಒಳಗೊಂಡಿದೆ ರಲ್ಲಿ ಮಾಡಲಾಯಿತು. ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದ್ಯ - ನೀರಿನ NaOH ಪರಿಹಾರ, ಆನೋಡ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ಕೃತಕ ಭಾವಿಸಿದರು ಬೇರ್ಪಡಿಸಲಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಅಂಶ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮುಕ್ತ ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಸುಮಾರು 150 mV, ಆಗಿತ್ತು. 35 ಕುಸಿಯಿತು ಅಂಶ 50 kOhm ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ ಬಾಹ್ಯ ಹೊರೆಯ ಸಂಪರ್ಕಿಸುವಾಗ mV., ಕಾರಣ ಕಡಿಮೆ ಆಂತರಿಕ ಬೊರಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಹಾಗೂ ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಒಂದು ಉನ್ನತವಾದ ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧ ಎಲಿಮೆಂಟ್ ಎಂದು ಇಂತಹ ಪ್ರಬಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್. ರಚನೆ ಒಂದು ಅಂಶ ತನಿಖಾ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಾಪಮಾನ ವರ್ಸಸ್ ಕೈಗೊಂಡರು ಇಲ್ಲ. ಇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್, ಆ, ಅದರ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯೋಜನೆ ಅವಲಂಬಿಸಿ ಇದಕ್ಕೆ, ಡೋಪಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಗುಣಗಳನ್ನು ಪದವಿ, ವಿವಿಧ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ತನ್ನ ಫರ್ಮಿ ಮಟ್ಟದ ಪ್ರಭಾವಿಸುತ್ತವೆ ತಾಪಮಾನ ಬದಲಾವಣೆ. ಅಂದರೆ ಇಎಮ್ಎಫ್ ರಂದು ತಾಪಮಾನ ಪರಿಣಾಮಗಳು ಎಲಿಮೆಂಟ್ (ಹೆಚ್ಚಳ ಅಥವಾ ಕಡಿಮೆ), ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಸಾಮಗ್ರಿಗಳ ಮೇಲೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಈ ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ ಪ್ರಯೋಗದ ಅಲ್ಲ.

ಈ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಜೀವಕೋಶ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಹೊರಗಿನ ಉಕ್ಕಿನ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಮತ್ತು ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಕ್ಕೆ ಸಕ್ರಿಯ ಇಂಗಾಲದ ಪುಡಿ ಮತ್ತು ಅಯಾನು ಅಂಟು ಎಬಿ-17-8 ಮಿಶ್ರಣದಿಂದ ಆನೋಡ್ ಸಕ್ರಿಯ ಇಂಗಾಲದ ಪುಡಿ ಮತ್ತು KU '-2-8 ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ ಇದು ಮತ್ತೊಂದು ಪ್ರಯೋಗವು ಮುಂದುವರೆಯಿತು ಸ್ಟೇನ್ಲೆಸ್ ಸ್ಟೀಲ್. ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದ್ಯ - NaCl ಗಳನ್ನು ಜಲದ ದ್ರಾವಣವನ್ನು ಆನೋಡ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ಕೃತಕ ಬೇರ್ಪಡಿಸಲಾಗಿರುತ್ತದೆ ಭಾವಿಸಿದರು. ಅಕ್ಟೋಬರ್ 2011 ಈ ಅಂಶದ ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹ ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಆಮೀಟರ್, ತಿರುವಿನ ಬಗ್ಗೆ ಒಂದು ದಿನ, 1 ವರೆವಿಗೂ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ ತೋರಿಸುವ ಈಗಿನ - 100 MKA ವರೆಗೆ (ಕಾರಣ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಪೋಲಾರೈಸೇಶನ್ ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಇದು), ಮತ್ತು ಅಲ್ಲಿಂದೀಚೆಗೆ ಒಂದು ವರ್ಷಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ.

ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ಸಾಧ್ಯವಿದೆ ಕಡಿಮೆಯಿದೆಯೆಂದು ಹೆಚ್ಚು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ವಸ್ತುಗಳ ತಲುಪಲಾಗದಿರುವುದು ಪಡೆದ ಫಲಿತಾಂಶಗಳನ್ನು ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಮೇಲೆ ವಿವರಿಸಿದ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಪ್ರಯೋಗಗಳಲ್ಲಿ. ಜೊತೆಗೆ, ಪೂರ್ಣ ಆಂತರಿಕ ಇಎಮ್ಎಫ್ ಆ ಭಾಗದಲ್ಲಿ ತಿಳಿದಿರಲಿ ಅಂಶ ಯಾವಾಗಲೂ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು (ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕವನ್ನು ಉತ್ಪಾದನೆ) ಪಾಲನೆಯ ಸೇವಿಸುವ ಮತ್ತು ಬಾಹ್ಯ ಮಂಡಲದಲ್ಲಿನ ಅಳೆಯಬಹುದು.

ತೀರ್ಮಾನ.

ಅಪ್ ಕೂಡಿಸಿ, ನಾವು ಒಂದು "ಹೀಟರ್" ವಾತಾವರಣವಾಗಿ ಬಳಸಿ ಮತ್ತು "ರೆಫ್ರಿಜಿರೇಟರ್" ಇಲ್ಲದಿರುವ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಪ್ರಕೃತಿಯ, ನಮಗೆ ಉಪಯುಕ್ತ ಶಕ್ತಿ ಅಥವಾ ಕೆಲಸಗಳಲ್ಲಿ ಉಷ್ಣ ಶಕ್ತಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ ತೀರ್ಮಾನಕ್ಕೆ. ಹೀಗಾಗಿ Donnan ಪರಿಣಾಮ ಮತ್ತು ಆಂತರಿಕ ವೇಳೆ ರಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಕಣಗಳ ಪರಿವರ್ತನೆ ಉಷ್ಣ ಶಕ್ತಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಶಕ್ತಿ ಎಂಡೋಥರ್ಮಿಕ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಶಾಖವಾಗಿ DEL ರಾಸಾಯನಿಕ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿ ಮಾರ್ಪಾಡಾಗುತ್ತದೆ.

ಪರಿಗಣಿಸಲಾದ ಸಂಪರ್ಕ ಅಂಶ ಮಧ್ಯಮ ಮತ್ತು ನೀರಿನಿಂದ ಉಷ್ಣಾಂಶವನ್ನು ಬಳಕೆಯಾಗುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿ, ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕವನ್ನು ಗೊತ್ತುಪಡಿಸುತ್ತದೆ! ಇದಲ್ಲದೆ, ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿ ಬಳಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಜಲಜನಕವನ್ನು ಬಳಕೆ ಇಂಧನವಾಗಿ, ಮತ್ತು ನೀರಿನ ಶಾಖ ಸಾಧಾರಣ ಹಿಂದಿರುಗಿ!

ಅನೆಕ್ಸ್ ಭಾಗ 3.

ಈ ಭಾಗವು ಮತ್ತಷ್ಟು ಅಂಶದಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳ ಒಳ HPDC ಲೋಹದ / ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖದ ಸೇರಿಕೆಯಲ್ಲಿ, Donnan ಸಮತೋಲನ ಪರಿಣಾಮ ಚರ್ಚಿಸಲಾಗಿದೆ.

Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ (ಅನುಬಂಧ №1)

polyelectrolyte ಫಾರ್ Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ ಸಂಭವಿಸುವುದನ್ನು ಯಾಂತ್ರಿಕ ಪರಿಗಣಿಸಿ. ನಂತರ ವಿಘಟನೆಯ polyelectrolyte counterions ತನ್ನ ಸಣ್ಣ, ಪ್ರಸರಣದ, ಬೃಹತ್ ಕಣ ಆಕ್ರಮಿಸಿಕೊಂಡವು ಪರಿಮಾಣ ಬಿಟ್ಟು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತಾರೆ. ದ್ರಾವಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ polyelectrolyte ಮ್ಯಾಕ್ರೋಕಣಗಳು ಆಫ್ counterions ಆಫ್ ದಿಕ್ಕು ಪ್ರಸರಣ ಪರಿಹಾರ ಉಳಿದ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಬೃಹತ್ ಕಣ ಬೃಹತ್ ಹೆಚ್ಚಿಸಬೇಕು ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಕಾರಣ. ಇದಲ್ಲದೆ, ವೇಳೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಣ್ಣ counterions ಋಣಾತ್ಮಕ ವಿಧಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಈ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ರಲ್ಲಿ ಬೃಹತ್ ಕಣ ಒಳ ಭಾಗವನ್ನು ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ, ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರ ಬೃಹತ್ ಕಣ ಪರಿಮಾಣ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿವೆ ಆಗಿದೆ - ಋಣಾತ್ಮಕ. ಅಂದರೆ ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ - ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ macroion ಪರಿಮಾಣ ಸುಮಾರು, ಸಣ್ಣ ಭಯೋತ್ಪಾದನಾ ಅಯಾನುಗಳ "ಅಯಾನ್ ವಾತಾವರಣ" ಒಂದು ರೀತಿಯ ಇಲ್ಲ. ಮುಕ್ತಾಯ ಅಯಾನಿಕ್ ವಾತಾವರಣ ಚಾರ್ಜ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಅಯಾನು ಪರಿಮಾಣ macroion ವಾತಾವರಣ ಮತ್ತು ಸಮತೋಲನಗಳ ಸಣ್ಣ counterions ಉಷ್ಣ ಪ್ರಸರಣ ನಡುವೆ. ವಾತಾವರಣ ಮತ್ತು ಅಯಾನಿಕ್ macroions ನಡುವೆ ಮಾಡಿಕೊಂಡ ಸಮತೋಲನ ವಿಭವ ವ್ಯತ್ಯಾಸ Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ ಆಗಿದೆ. Donnan ಸಂಭವನೀಯತೆಯೂ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ , ಪೊರೆಯ ವಿಭವವು ಕಾರಣ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಮತ್ತು ಶುದ್ಧ ದ್ರಾವಕದ therethrough ವರ್ಗಾಯಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು - ಇದು ಎರಡು ರೀತಿಯ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಪರಿಹಾರ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಿದಾಗ ಇದೇ ಪರಿಸ್ಥಿತಿ semipermeable ಮೆಂಬರೇನಿನ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ.

Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ ಪ್ರಸರಣ ಸಂಭಾವ್ಯ ರ ಸೀಮಿತ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಯಾವಾಗ ಅಯಾನುಗಳ ಒಂದು ಚಲನೆ (ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ macroion ರಲ್ಲಿ) ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಪರಿಗಣಿಸಬಹುದು. ನಂತರ, [1, ಪುಟ ಪ್ರಕಾರ. 535], ಒಂದು ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಕೌಂಟರ್ ಉಸ್ತುವಾರಿಯನ್ನು ವಹಿಸಿಕೊಂಡ:

ಇ ಡಿ = (ರಿಕಿ / ಎಫ್) LN ( A1 / ಎ 2), ಅಲ್ಲಿ

ಎಡ್ - Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ;

ಆರ್ - ಸಾರ್ವತ್ರಿಕ ಸ್ಥಿರ ಅನಿಲ;

ಟಿ - ಉಷ್ಣೋತ್ಪಾದಕ ಉಷ್ಣಾಂಶ;

ಎಫ್ - ಫ್ಯಾರಡೆ ನಿಯತಾಂಕ;

, a1, a 2 - ಸಂಪರ್ಕ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿ-ಚಟುವಟಿಕೆ.

ಇದರಲ್ಲಿ ಪೊರೆಯ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸುತ್ತದೆ poliosnovaniya ಪರಿಹಾರಗಳನ್ನು ಸದಸ್ಯನಿಂದ (ಪಿಎಚ್ = ಎಲ್ ಜಿ ಒಂದು 1 = 14) ಮತ್ತು polyacid ರಲ್ಲಿ (ಪಿಎಚ್ = ಎಲ್ ಜಿ 2 = 0) ಪೊರೆಯಾದ್ಯಂತ Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ ಕೊಠಡಿ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ (ಟಿ = 300 0 ಕೆ) ಎಂದು:

ಇ ಡಿ = (ರಿಕಿ / ಎಫ್) (ಎಲ್ ಜಿ ಒಂದು 1 - ಎಲ್ ಜಿ 2) LN (10) = (8,3 * 300/96500 ) * (14 - 0) * ln (10) = 0.83 ವೋಲ್ಟ್ಸ್

ತಾಪಮಾನ ನೇರ ಅನುಪಾತದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ Donnan ಸಂಭಾವ್ಯ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಸೆಲ್ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಪ್ರಸರಣ ಫಾರ್ ಉಪಯುಕ್ತ ಕೆಲಸ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಏಕೈಕ ಮೂಲವಾಗಿದೆ, ಇದು ಅಂಶಗಳನ್ನು ಇಎಮ್ಎಫ್ ಆಶ್ಚರ್ಯವೇನಿಲ್ಲ ಉಷ್ಣತೆಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಕೆಲಸದ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಪ್ರಸರಣ ಕೋಶವೊಂದರಲ್ಲಿ, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಯಾವಾಗಲೂ ಪರಿಸರ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲಾಗಿದೆ. EDL ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯುವುದಿಲ್ಲ DES ನ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಧನಾತ್ಮಕ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಕಾಕತಾಳೀಯವಾಗಿ ಒಂದು ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ Donnan ಪರಿಣಾಮ, ನಿರ್ಮಿಸಿದಾಗ (ಅಂದರೆ DES ನ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಸಕಾರಾತ್ಮಕ ಕೆಲಸದ ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ), ಶಾಖ ಈ ಕಾಗದದ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಪರಿಸರದಿಂದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ.

ಆದರೆ ಪ್ರಸರಣ ಅಂಶ ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಸಮತೋಲನ Donnan ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಸಮೀಕರಿಸುವ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಿರ್ದೇಶಿಸಿದ ಪ್ರಸರಣ ನಿಲ್ಲಿಸಲು ಇದು ಅಯಾನುಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯ, ನಿರಂತರವಾದ ಹಾಗೂ ದಿಕ್ಕಿನ ಬದಲಾವಣೆ, ಇದರಲ್ಲಿ, ಭಾಗಶಃ-ಸ್ಥಿರ ಪ್ರಸ್ತುತ, ಅಯಾನು ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಸಂಭವಿಸುವಿಕೆಯ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮುಟ್ಟಿತ್ತು ಬದಲಾಗದೆ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ ಆಗಿದೆ .

ಅಂಜೂರ. 2 ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರದ ಆಮ್ಲೀಯತೆಯನ್ನು ಬದಲಿಸುವುದರ ಮಾಡಿದಾಗ ಆಮ್ಲಜನಕದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ರೆಡಾಕ್ಸ್ ಸಂಭವನೀಯತೆಗಳ ಒಂದು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಚಾರ್ಟ್ ಒಹೆಚ್- ಅಯಾನುಗಳ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಆಮ್ಲಜನಕದ ರಚನೆಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು (ಆಮ್ಲೀಯ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ 1.23 ವೋಲ್ಟ್) ಆಫ್ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಹೆಚ್ಚು ಸಾಂದ್ರತೆಯ 0.83 ವೋಲ್ಟ್ಗಳಲ್ಲಿ (ಒಂದು ಕ್ಷಾರೀಯ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ 0.4 ವೋಲ್ಟ್ಗಳ) ಅದೇ ಸಂಭಾವ್ಯ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಅಂತೆಯೇ, H + ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ (ಕ್ಷಾರೀಯ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ -0,83 ವೋಲ್ಟ್) ಜಲಜನಕ ರೂಪಿಸುವ ಕ್ರಿಯೆಯ ವಿದ್ಯುದ್ಧ್ರುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ 0.83 ವೋಲ್ಟ್ [4 ನಲ್ಲಿ, ಹೆಚ್ಚು ಸಾಂದ್ರತೆಯ (ಆಸಿಡ್ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ 0 ವಿ) ಅದೇ ಸಂಭಾವ್ಯ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ. 66-67]. ಅಂದರೆ ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಆ 0.83 ವೋಲ್ಟ್ ಆಯಾ ಅಯಾನುಗಳು ನೀರಿನ ಅಧಿಕ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಪಡೆಯಲು ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ಈ 0.83 ವೋಲ್ಟ್ ಒಳಗೆ ಎಚ್ + ಮತ್ತು ಒಹೆಚ್- ಅಯಾನುಗಳು ನೀರಿನ ಕಣಗಳ ತಟಸ್ಥ ವಿಘಟನೆಯ ಸಾಮೂಹಿಕ ಅಗತ್ಯವಿದೆ ಎಂದು ಅರ್ಥ. ಆದ್ದರಿಂದ ಪೊರೆಯ ನಮ್ಮ ಎಲಿಮೆಂಟ್ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಜಾಗವನ್ನು ಆಮ್ಲೀಯ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಒಂದು ಕ್ಷಾರೀಯ anodic ಬೆಂಬಲಿತವಾಗಿದೆ ವೇಳೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅದರ DEL 0.83 ವೋಲ್ಟ್, ಹಿಂದಿನ ಮಂಡಿಸಿದರು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ ಉತ್ತಮ ಒಪ್ಪಂದವನ್ನು ಮಾಡಿಕೊಂಡಿದೆ ತಲುಪಬಹುದು. ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಇದರೊಳಗೆ ಅಯಾನುಗಳು ನೀರನ್ನು ವಿಘಟನೆಯ ಮೂಲಕ ಅಧಿಕ ವಾಹಕತೆ ಜಾಗವನ್ನು DES ಪೊರೆಯ ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.

ಅಂಜೂರ. 2. ರೇಖಾಚಿತ್ರ ರೆಡಾಕ್ಸ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವಿಭವವು

ನೀರಿನ ವಿಭಜನೆ, ಮತ್ತು H + ಅಯಾನುಗಳು ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕ ಮತ್ತು ಜಲಜನಕದ ಒಹೆಚ್-.

IF ಮತ್ತು ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ (ಅನುಬಂಧ №2)

"ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಕಾರಣ ಮತ್ತೊಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಒಳಗೆ ಆವೇಶದ ವಾಹಕಗಳು (ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆಯನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ) ವಿವಿಧ ವಿವಿಧ ವಾಹಕಗಳ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆ ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ... ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಒಂದು ವಾಹಕದ ನಿಂದ ಸರಾಸರಿ ಶಕ್ತಿ ಅಥವಾ ಪ್ರಸಾರ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಗ್ರಿಡ್ ಅಥವಾ ಅದರ ವೆಚ್ಚದಲ್ಲಿ ಶಕ್ತಿಯ ಕೊರತೆ ಪೂರಕವಾಗಿ ಆಗಿದೆ (ಪ್ರವಾಹದ ದಿಕ್ಕನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ).

ಅಂಜೂರ. 3. ಸಂಪರ್ಕ ಲೋಹದ ಮತ್ತು ಅರೆವಾಹಕ n- ರಂದು ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪರಿಣಾಮ: ԐF - ಫರ್ಮಿ ಮಟ್ಟದ; ԐC - ಅರೆವಾಹಕವೊಂದನ್ನು ವಹನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಕೆಳಗೆ; ԐV - ಸಂಯೋಗ ಪಟ್ಟಿಯಿಂದ; ನಾನು - ಪ್ರಸ್ತುತ ಧನಾತ್ಮಕ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ; ಬಾಣಗಳು ವಲಯಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಕೇತಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಸಂಪರ್ಕ ಬಳಿ ಮೊದಲನೆಯ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಬಿಡುಗಡೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಎರಡನೇ - ಹೀರಲ್ಪಡುತ್ತದೆ ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ .. ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಂಪರ್ಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ರಂದು - ಲೋಹದ (ಚಿತ್ರ 3) ಲೋಹದ (ಎಡ ಟಚ್) ಗೆ ಎನ್-ಮಾದರಿಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಹರಿಯಲು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಶಕ್ತಿ ಫರ್ಮಿ ಶಕ್ತಿ ԐF ಗಣನೀಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅವರು ಲೋಹದ ಶಾಖದ ಸಮತೋಲನ ಉಲ್ಲಂಘಿಸಿದ. ಸಂತುಲನ, ಘರ್ಷಣೆಗೆ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ದುರಸ್ತಿಗೊಂಡ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ನೀಡುವ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು thermalized ಇದರಲ್ಲಿ. ಗ್ರಿಡ್. ಲೋಹದ ಆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅನಿಲದ ತಣ್ಣಗಾದಂತೆ ಆದ್ದರಿಂದ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಲೋಹದ (ಬಲ ಟಚ್), ಕೇವಲ ಅತ್ಯಂತ ಶಕ್ತಿಯುತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ರವಾನಿಸಬಹುದು. ಅನಿಶ್ಚಿತತೆಯು ಶಕ್ತಿ ಸೇವಿಸುವ ಜಾಲಕ ಸಮತೋಲನ ವಿತರಣೆ "[2, ಪುಟ ಮರುಸ್ಥಾಪನೆ ರಂದು. 552].

ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಲೋಹದ / ಪು ಅರೆವಾಹಕ ಪರಿಸ್ಥಿತಿ ಇರುತ್ತದೆ. ಏಕೆಂದರೆ ಪಿ-ವಾಹಕತೆ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಫರ್ಮಿ ಮಟ್ಟಕ್ಕಿಂತ ಎಂದು ಅದರ ಸಂಯೋಗ ಪಟ್ಟಿಯಿಂದ ಒದಗಿಸಲು, ನಂತರ ಸಂಪರ್ಕ ತಂಪಾಗುವ ನಡೆಯಲಿದೆ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಲೋಹದ ಗೆ ಪು ಅರೆವಾಹಕ ಪರಿಪಾಠವನ್ನು ಇದರಲ್ಲಿ. ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಬಿಡುಗಡೆ ಅಥವಾ ಕಾರಣ ಋಣಾತ್ಮಕ ಅಥವಾ ಆಂತರಿಕ ವೇಳೆ ಧನಾತ್ಮಕ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಎರಡು ವಾಹಕಗಳ ಸಂಪರ್ಕ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ.

ಎಡ ಸಂಪರ್ಕ ಅಂತರವನ್ನು (ಅಂಜೂರ. 3), ಮೇಲೆ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಹಂಚಿಕೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಸೆಲ್, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ನೀರಿನ NaOH ಪರಿಹಾರ (ಚಿತ್ರ 4) ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ಇದು ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಾಗಿದೆ ಎಂದು ಎಂಡ್ ಅವಕಾಶ ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಅಂಜೂರ. 4. ಎಡ ಸಂಪರ್ಕ ಎನ್ ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಮುಕ್ತ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಪರಿಹಾರದ ಅಂತರದಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪದವಿ ಹುದ್ದೆ ಅಂಜೂರ ಮಾಹಿತಿ ಒಂದೇ. 3.

ಏಕೆಂದರೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯುವುದಿಲ್ಲ ಮಾಡಿದಾಗ «ನಾನು», ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಎಂಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಲೋಹದ ಪರಿಹಾರ ಬಂದಿದ್ದು ಆಗಮಿಸುತ್ತಾನೆ ಪರಿಹಾರ, ಈ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಶಕ್ತಿ (ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ) ಕೋಶದಲ್ಲಿ ನಿಲ್ಲುವ ಮಾಡಬೇಕು.

ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಮೂಲಕ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸೋರಿಕೆಯನ್ನು ಅದರೊಡನೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ಕೇವಲ ಒಂದು ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಇರಬಹುದು. ಕೋಶದಲ್ಲಿ ಬಹಿರುಷ್ಣಕ ಕ್ರಿಯೆಯು ವೇಳೆ, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖವಾಗಿ, ಸೆಲ್ ಬಿಡುಗಡೆ ಹೆಚ್ಚು ಅವರು ಹೋಗಲು ಎಲ್ಲಿಯೂ ಹೊಂದಿದೆ. ಕೋಶದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವೇಳೆ - ಎಂಡೋಥರ್ಮಿಕ್, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಎಂಡೋಥರ್ಮಿಕ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಸರಿದೂಗಿಸಲು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಅಥವಾ ಭಾಗಶಃ, ಅಂದರೆ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಜೀವಕಣಗಳ ಒಟ್ಟು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ: 2H2O → 2H2 ↑ + O2 ↑ - ಎಂಡೋಥರ್ಮಿಕ್, ಆದ್ದರಿಂದ ಶಾಖ (ಶಕ್ತಿ) ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಅಣುಗಳು ರಚಿಸುವುದು ಮತ್ತು H2 O 2 ವಿದ್ಯುದ್ವಾರ ಮೇಲೆ ರಚನೆಯಾಗುತ್ತವೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ನಾವು ಬಲ ಎಂಡ್ ಸಂಪರ್ಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ / ಲೋಹದ ಮಧ್ಯಮವಾಗಿದೆ ಆಯ್ಕೆ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಪರಿಸರಕ್ಕೆ ಮತ್ತೆ ಬಿಡುಗಡೆ, ಮತ್ತು ಜಲಜನಕ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕದ ಅಣುಗಳ ರಾಸಾಯನಿಕ ಶಕ್ತಿಯ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಪಡೆಯಲು. ನಿಸ್ಸಂಶಯವಾಗಿ, ಹೊರಗಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ ನೀರಿನ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆಯ, ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪರಿಣಾಮದ ಯಾವುದೇ ಸಂಭವಿಸಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಸೇವಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಒಂದೇ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಎಂದು ..

ಇರಲಿ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಗುಣಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುದ್ವಿಚ್ಛೇದನದ ಜೀವಕೋಶವು ತನ್ನನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಥವಾ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಾಡಲಾದ ಹಾದುಹೋಗುತ್ತಿರುವಾಗ ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದಿಸಬಹುದು. ಭಾಗಶಃ-ಸ್ಥಿರ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು, ಗಿಬ್ಸ್ ಜೀವಕೋಶಗಳು [4 ಸಂಭಾವ್ಯ ಬದಲಾವಣೆ, ಪು. 60]:

Δ ಜಿ = Δ ಎಚ್ - ಟಿ Δ ಎಸ್, ಅಲ್ಲಿ

Δ ಎಚ್ - ಸೆಲ್ ಎನ್ಥೆಲ್ಪಿ ಬದಲಾವಣೆ;

ಟಿ - ಉಷ್ಣೋತ್ಪಾದಕ ಉಷ್ಣಾಂಶ;

Δ ಎಸ್ - ಸೆಲ್ ಎಂಟ್ರೋಪಿ ಬದಲಾವಣೆ;

ಪ್ರಶ್ನೆ = - ಟಿ Δ ಎಸ್ - ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಜೀವಕೋಶದ ಶಾಖ.

284.5 (KJ / mol) [8, ಪುಟ - ಟಿ = 298 (ಕೆ), ಶಾಖಪ್ರಮಾಣವು ΔHpr = ಬದಲಾವಣೆ ನಲ್ಲಿ ಹೈಡ್ರೋಜನ್-ಆಮ್ಲಜನಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಕೋಶದ. 120], ಗಿಬ್ಸ್ ಬದಲಾವಣೆ ಸಂಭಾವ್ಯ [4. ಒಂದು. 60]:

ΔGpr = - zFE = 2 * 96485 * 1.23 = - 237.3 (KJ / mol), ಅಲ್ಲಿ

Z - ಅಣು ಪ್ರತಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ;

ಎಫ್ - ಫ್ಯಾರಡೆ ನಿಯತಾಂಕ;

ಇ - ಇಎಮ್ಎಫ್ ಸೆಲ್.

ಆದ್ದರಿಂದ

ಪ್ರಶ್ನೆ ಸೌಖ್ಯವೇ = - ಟಿ Δ ಎಸ್ ಸೌಖ್ಯವೇ = Δ ಜಿ ಇತ್ಯಾದಿ - Δ ಎಚ್ ಇತ್ಯಾದಿ = - 237.3 + 47.2 = 284.5 (KJ / mol)> 0,

ಅಂದರೆ ಹೈಡ್ರೋಜನ್-ಆಮ್ಲಜನಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ ಜೀವಕೋಶವು ಅದರ ಜಡೋಷ್ಣ ಸುಧಾರಣೆ ಮತ್ತು ಅದರ ತಗ್ಗಿಸಿತು, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ನಂತರ, ಇದು ನಮ್ಮ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ವಿಲೋಮ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ, ನೀರಿನ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆಯ, ರಲ್ಲಿ, ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಪ್ರಶ್ನೆ ಅಳತೆಯ = - ಪ್ರಶ್ನೆ ಸೌಖ್ಯವೇ = - 47.3 (KJ / mol) ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ನ ಪರಿಸರದಿಂದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲ್ಪಡುತ್ತದೆ ಕಾಣಿಸುತ್ತದೆ.

ಬಲ ಎಂಡ್ ಸಂಪರ್ಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ / ಲೋಹದ ಪರಿಸರ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲಾಗಿದೆ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ - ಪಿ ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ಶಾಖ ಪಿ> 0 ಸೆಲ್ ನಿಂತು, ಆದರೆ ಏಕೆಂದರೆ ಸೆಲ್ ಎಂಡೋಥರ್ಮಿಕ್ ಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ನೀರಿನ ವಿಭಜನೆ (Δ ಎಚ್> 0), ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಪಿ ಕ್ರಿಯೆಯ ಉಷ್ಣ ಪರಿಣಾಮಕ್ಕೆ ಪರಿಹಾರ ಮಾಡುವುದು:

Δ ಜಿ ಆಗ = (Δ ಎಚ್ ಆಗ - ಎನ್) + ಪ್ರಶ್ನೆ ಅಳತೆಯ                                                                        (1)

ಮಾಡ್ ಪ್ರಶ್ನೆ ಏಕೆಂದರೆ, ಕೇವಲ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ ಇದು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಜೊತೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲಿಟಿಕ್ ಜೀವಕೋಶದ ಗುಣಲಕ್ಷಣವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು n ಮಾತ್ರ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿದೆ.

(1) ಸಮೀಕರಣ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪಿ ಮತ್ತು ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ, ಅಳತೆಯ ಪ್ರಶ್ನೆ ಬಿಸಿ ಉಪಯುಕ್ತ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ನಿರ್ಮಾಣ ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಅಂದರೆ ಮಾಧ್ಯಮದಿಂದ ಒಯ್ದು ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಶಾಖ ಒಂದು ಬಾಹ್ಯ ಶಕ್ತಿ ಮೂಲ ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನೆಯ ಬೇಕಾದ ವೆಚ್ಚ ಕಡಿಮೆ. ಅಲ್ಲಿ ಶಾಖ ಸಾಧಾರಣ ಉಪಯುಕ್ತ ಕೆಲಸ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಶಕ್ತಿಯ ಮೂಲವಾಗಿದೆ ಸನ್ನಿವೇಶ ಪ್ರಸರಣ ವಿಶಿಷ್ಟ ಲಕ್ಷಣವಾಗಿದೆ ಹಾಗೂ ಅನೇಕ ವಿದ್ಯುದ್ರಾಸಾಯನಿಕ ಸೆಲ್, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಅಂಶಗಳ ಉದಾಹರಣೆಗಳಲ್ಲಿ [3, ಪುಟ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. 248 - 249].

ಉಲ್ಲೇಖಗಳು

1. ಗೆರಾಸಿಮೊವ್ ಯಾ. ದೈಹಿಕ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದ ಐ ಕೋರ್ಸ್. ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್: ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯಗಳಿಗೆ. ಟಿ ವಿ 2. T.II. - 2 ನೆಯ ಸಂಪುಟ .. - ಎಂ. ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ, ಮಾಸ್ಕೋ, 1973 - 624 ಪು.
2. Dashevskiy 3. ಎಂ ಪೆಲ್ಟಿಯರ್ ಪರಿಣಾಮ. // ಶಾರೀರಿಕ ವಿಶ್ವಕೋಶ. 5 ಮೀ. ಟಿ III ರಲ್ಲಿ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೋ - Poynting ಪ್ರಮೇಯ. / ಅಧ್ಯಾಯ. ಎಡ್. ಎ ಎಂ Prohorov. ಎಡ್. ಎಣಿಕೆ. ಡಿಎಮ್ Alekseev, ಎ ಎಂ Baldin, ಎಎಮ್ Bonch-Bruevich, ಎ borovik-ರೊಮಾನೋವ್ ಮತ್ತು ಇತರರು - ಎಂ.. ಗ್ರೇಟ್ ರಷ್ಯಾದ ಎನ್ಸೈಕ್ಲೋಪೀಡಿಯಾ, 1992 - 672 ಪು. - ಐಎಸ್ಬಿಎನ್ 5-85270-019-3 (3 ಮೀ.); ಐಎಸ್ಬಿಎನ್ 5-85270-034-7.
3. Krasnov ಕೆ.ಎಸ್ ಫಿಸಿಕಲ್ ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ. 2 ಪುಸ್ತಕಗಳಲ್ಲಿ. ಸಂಪುಟ. 1. ಮ್ಯಾಟರ್ ರಚನೆ. ಉಷ್ಣಬಲ: ಪ್ರೊಸ್. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಾಲೆಗಳಿಗೆ; ಕೆ.ಎಸ್ Krasnov, ಎನ್ ಕೆ Vorobev, ಐ ಇತರರು Godnev -. 3 ನೇ ಆವೃತ್ತಿ .. - ಎಂ. ಹೈಯರ್. ವಾರ 2001 -. 512. - ಐಎಸ್ಬಿಎನ್ 5-06-004025-9.
4. Krasnov ಕೆ.ಎಸ್ ಫಿಸಿಕಲ್ ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ. 2 ಪುಸ್ತಕಗಳಲ್ಲಿ. ಸಂಪುಟ. 2. ವಿದ್ಯುದ್ರಾಸಾಯನಿಕದಲ್ಲಿ. ರಾಸಾಯನಿಕ ಚಲನಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ವೇಗವರ್ಧನೆಯ: ಪ್ರೊಸ್. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಾಲೆಗಳಿಗೆ; ಕೆ.ಎಸ್ Krasnov, ಎನ್ಕೆ Vorobyov ಐ ಎನ್ Godnev ಇತರರು. -3 ಆವೃತ್ತಿ. ರೆವರೆಂಡ್ - ಎಂ. ಹೈಯರ್. ವಾರ 2001 -. 319. - ಐಎಸ್ಬಿಎನ್ 5-06-004026-7.
5. ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರದ Sivukhin ಡಿ.ವಿ. ಸಾಮಾನ್ಯ ಕೋರ್ಸ್. ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್: ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯಗಳಿಗೆ. 5 ಮೀ ರಲ್ಲಿ. T.III. ವಿದ್ಯುತ್. - 4 ನೇ ಆವೃತ್ತಿ, ಸ್ಟೀರಿಯೊಟೈಪ್ಸ್ .. - ಎಮ್: FIZMATLIT;. ಪ್ರಕಟಿಸುವುದರಿಂದ MIPT ಮನೆಯಾದ 2004 - 656 ಪು. - ಐಎಸ್ಬಿಎನ್ 5-9221-0227-3 (3 ಮೀ.); 5-89155-086-5.
6. ಪಾಲಿಮರ್ಗಳ Tager ಎ ಎ ಶಾರೀರಿಕ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ. - ಎಂ. ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ, ಮಾಸ್ಕೋ, 1968 - 536 ಪು.
7. Vetter ಕೆ ವಿದ್ಯುದ್ರಾಸಾಯನಿಕ ಚಲನಶಾಸ್ತ್ರಕ್ಕೆ ಕೊರ್ರ್ ಸಂಪಾದಿತ ರಷ್ಯಾದ ಆವೃತ್ತಿಯ ಲೇಖಕರ ತಿದ್ದುಪಡಿಗಳನ್ನು ಜರ್ಮನ್ ಭಾಷೆಯಿಂದ ಅನುವಾದ. ಯುಎಸ್ಎಸ್ಆರ್ ಅಕಾಡೆಮಿ ವಿಜ್ಞಾನ ಪ್ರೊಫೆಸರ್ ಆಫ್. Kolotyrkin YM - ಎಂ. ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ, ಮಾಸ್ಕೋ, 1967 - 856 ಪು.
8. ಪಿ ಅಟ್ಕಿನ್ಸ್ ಫಿಸಿಕಲ್ ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ. 2 ವಿ. ಟಿ.ಐ., ರಾಸಾಯನಿಕ ವಿಜ್ಞಾನ Butin ಕೆ.ಪಿ. ಆಫ್ ವೈದ್ಯರ ಇಂಗ್ಲೀಷ್ ಭಾಷೆಯಿಂದ ಅನುವಾದ - ಎಂ. ಮೀರ್, ಮಾಸ್ಕೋ, 1980 - 580 ಪು.